集成電路的發(fā)展是衡量一個國家經(jīng)濟實力和科技水平的重要標志，它需要微電子學、物理學、化學、半導體、光學、精密機械等諸多學科的交叉。1980年新華社宣布我國首創(chuàng)了無顯影氣相光刻技術，40年來，我國的光刻技術突飛猛進，集成度的迅猛提高得益于微細加工技術的不斷發(fā)展，而光刻和光致抗蝕劑是微細加工的關鍵技術和關鍵材料。

UV技術應用于光致抗蝕劑，傳統(tǒng)的光致抗蝕劑經(jīng)過技術革新，衍生出化學增幅光致抗蝕劑，而193nm光刻中的光致抗蝕劑具有更高的感光靈敏度。化學增幅光致抗蝕劑就成為光刻材料研究的前沿和重點。